Effet du platform switching sur le niveau osseux péri-implantaire : essai clinique randomisé

Cette étude visait à tester l’hypothèse selon laquelle le concept du platform switching a un impact positif sur la perte osseuse marginale.

Le système implantaire utilisé était SIC Ace Implant (SIC Invent, Bâle, Suisse). Il offre une connexion hexagonale interne et une rugosité moyenne. Ces implants présentent un épaulement à 45 °, ce qui donne une zone circulaire de 0,35 mm de large. Le pilier correspondant a un diamètre de 3,3 mm. L’implant de contrôle a été fabriqué sans le biseau et un pilier au diamètre de 4 mm a été utilisé. Deux implants d’un diamètre de 4 mm ont été mis en place au niveau juxta-osseux dans un côté de la mandibule postérieure de 25 patients. Après trois mois de cicatrisation en nourrice, le pilier de cicatrisation a été mis en place. Des couronnes unitaires scellées ont été réalisées. Des radiographies standardisées ont été effectuées et des échantillons microbiologiques ont été prélevés lors du deuxième temps et après trois, quatre et douze mois.

Après un an, la perte osseuse moyenne verticale autour des implants tests était de 0,53 ± 0,35 mm et de 0,58 ± 0,55 mm pour les implants contrôles. La différence intra-individuelle moyenne était de 0,56 mm ± 0,05, ce qui est faible comparé à l’épaulement de 0,35 mm. Les sillons gingivaux péri-implantaires ont été contaminés par des bactéries, sans différence significative entre les implants tests et contrôles à n’importe quel point du temps.

La présente étude clinique randomisée n’a pas pu confirmer l’hypothèse d’une perte osseuse péri-implantaire réduite autour d’implants restaurés selon le concept de platform switching.