Effets du « platform switching » sur les tissus péri-implantaires
 

Clinic n° 04 du 01/04/2009

 

PRESSE INTERNATIONALE

L'ESSENTIEL

Antoine Vassallo  

Le succès implantaire s'évalue généralement par le niveau de l'os crestal péri-implantaire. Un recul de cet os, de 1,5 à 2 mm en moyenne, est toujours constaté après la connexion du pilier sur l'implant. Il serait dû à l'inflammation des tissus mous causée par les bactéries qui colonisent le microhiatus existant toujours à la jonction implant-pilier vissé. Plus ce hiatus est voisin de la crête osseuse, plus la perte osseuse est importante. Une étude radiologique récente a...


Le succès implantaire s'évalue généralement par le niveau de l'os crestal péri-implantaire. Un recul de cet os, de 1,5 à 2 mm en moyenne, est toujours constaté après la connexion du pilier sur l'implant. Il serait dû à l'inflammation des tissus mous causée par les bactéries qui colonisent le microhiatus existant toujours à la jonction implant-pilier vissé. Plus ce hiatus est voisin de la crête osseuse, plus la perte osseuse est importante. Une étude radiologique récente a montré que la résorption de l'os crestal péri-implantaire est moindre lorsque la base du pilier a un diamètre inférieur à celui de la tête de l'implant. Ce phénomène s'observe dans des cas d'implants larges placés depuis plus de 20 ans et équipés de piliers de diamètre standard (3,75 mm) parce qu'il n'existait pas alors de piliers de diamètre correspondant. Ce concept appelé « platform switching » est utilisé par certains fabricants qui équipent systématiquement des implants avec des piliers de diamètre inférieur.

L'étude présente est un examen histologique d'une biopsie humaine de tissus situés autour d'un implant avec platform switching.

Matériel et méthode

Un implant présentant une plateforme de 4,8 mm de diamètre placé chez une patiente selon un protocole en un temps chirurgical et équipé d'un pilier de cicatrisation d'un diamètre inférieur a dû être retiré au bout de 2 mois en raison de difficultés à l'exploiter prothétiquement. L'implant déposé recouvert d'os et d'une collerette de muqueuse est sectionné, avec le pilier, selon son grand axe et 3 coupes fines sont préparées pour des analyses histologiques et histomorphométriques et pour un examen au microscope à lumière polarisée circulaire.

Résultats et discussion

L'examen au microscope optique montre un os périphérique sain. Il existe bien un tissu conjonctif inflammatoire autour de la jonction implant-pilier de cicatrisation. Ce tissu s'étend, verticalement sur le pilier, sur 0,35 mm de hauteur et, horizontalement sur la plage découverte de la plateforme de l'implant, sans déborder sur la face verticale de l'implant. Cette extension horizontale est également de 0,35 mm. L'os crestal environnant se trouve ainsi situé à distance de l'inflammation du tissu conjonctif contrairement à ce qui se passe quand les piliers et les plateformes d'implants sont de même diamètre. Le platform switching diminuerait la perte osseuse provoquée par le hiatus en éloignant celui-ci du bord osseux périphérique.

l'essentiel

Une résorption de l'os crestal est toujours constatée autour d'un implant après la connexion du pilier. Le microhiatus, entre ce dernier et l'implant, est colonisé par des bactéries. Ces dernières sont responsables de l'inflammation du tissu conjonctif adjacent, elle-même provoquant le recul osseux. Dans le concept du « platform switching », le diamètre du pilier est inférieur à celui de la plateforme de l'implant. Cette configuration a pour effet de déplacer vers le centre de la plateforme le microhiatus de la connexion, l'éloignant du bord osseux péri-implantaire qui est ainsi épargné par l'infiltration bactérienne de la gencive. Les résultats de l'étude présente, prise dans ses limites, aussi bien que ceux d'études précédentes, montrent que le platform switching constitue une méthode qui réduit la perte d'os crestal. Plus le micro-hiatus de la connexion est éloigné de l'os, moins la résorption de celui-ci est importante. Cela suggère que, d'une manière générale, la plateforme d'un implant doit être placée au dessus de la crête osseuse et que, s'il faut la placer obligatoirement au ras ou sous le niveau de la crête, comme dans la zone esthétique antérieure, le platform switching peut réduire la perte marginale de l'os.